GaAs HEMT / HFET / pHEMT

GaAs HEMT/HFET/pHEMT
Производитель:
Запрос образцов
Описание

Окси Балт поставляет эпитаксиальные структуры на основе GaAs различных типов:

  • HEMT
  • HFET
  • pHEMT

Доступны структуры GaAs как по Вашей спецификации так и типовые.

Скачать спецификацию на типовые структуры NediTek

Примечания:

  •  Рабочая область в 3 мм от края для 2- и 3- дюймовых структур; 5 мм - для 4- и 6-дюймовых;
  •  Подвижность определяется как среднее значение по всей всей пластине путем измерения Холла в 5 точках;
  • Толщина и состав определяется как среднее значение по всей пластине с помощью HRXRD в 5 точках;
  • Однородность содержания примеси определяется с помощью Lehighton;
  •  Возможно изготовление GaAs-структуры по вашей спецификации

Запрос образцов

Нажимая на кнопку «Отправить», вы даете согласие на обработку своих персональных данных